Infineon AIKW30N60CTXKSA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 215-6614
- Référence fabricant:
- AIKW30N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,612 € | 108,36 € |
| 60 - 120 | 3,432 € | 102,96 € |
| 150 + | 3,287 € | 98,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6614
- Référence fabricant:
- AIKW30N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 187 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 60 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 187 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor has fieldstop technology with soft fast recovery antiparallel emitter controlled diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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