Infineon AIKW75N60CTXKSA1 IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 215-6621
- Référence fabricant:
- AIKW75N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 10,004 € | 300,12 € |
| 60 - 60 | 9,504 € | 285,12 € |
| 90 + | 8,904 € | 267,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6621
- Référence fabricant:
- AIKW75N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 428 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 428 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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