Infineon IKZ50N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
215-6677
Référence fabricant:
IKZ50N65EH5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

273W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor and diode copacked with rapid 1 fast and soft antiparallel diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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