Infineon IKZ50N65EH5XKSA1, N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6677
- Référence fabricant:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|---|
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| 20 - 48 | 5,23 € | 10,46 € | 18,50 € |
| 50 - 98 | 4,865 € | 9,73 € | 64,50 € |
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- N° de stock RS:
- 215-6677
- Référence fabricant:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 85A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 273W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 85A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 273W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
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