Infineon, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
215-6633
Référence fabricant:
IGW30N65L5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

LowVCE(sat) Fifth Generation

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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