Références fabricant

Infineon IGW30N65L5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6633
Référence fabricant:: IGW30N65L5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IGW30N65L5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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Unité	Prix par unité	le tube*
30 - 30	2,571 €	77,13 €
60 - 120	2,442 €	73,26 €
150 - 270	2,339 €	70,17 €
300 - 570	2,237 €	67,11 €
600 +	2,082 €	62,46 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 215-6633
Référence fabricant:: IGW30N65L5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	227 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 85 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 227 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IGW30N65L5XKSA1

The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IGW30N65L5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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