Infineon, Type N-Channel IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

57,24 €

(TVA exclue)

69,27 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 180 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 301,908 €57,24 €
60 - 1201,813 €54,39 €
150 - 2701,736 €52,08 €
300 - 5701,66 €49,80 €
600 +1,546 €46,38 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-6633
Référence fabricant:
IGW30N65L5XKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Series

LowVCE(sat) Fifth Generation

Automotive Standard

No

The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Liens connexes