Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 85 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

78,48 €

(TVA exclue)

94,95 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 570 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 302,616 €78,48 €
60 - 1202,485 €74,55 €
150 +2,38 €71,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
226-6112
Référence fabricant:
IKW30N65EL5XKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

85A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

LowVCE(sat) Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Height

5.3mm

Length

41.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon IKW30N65EL5 has 650V breakdown voltage used very low collector-emitter saturation voltage and higher efficiency for 50Hz. It has longer lifetime and higher reliability of IGBT.

Low gate charge QG

Maximum junction temperature 175°C

Qualified according to JEDEC for target applications

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.