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Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

N° de stock RS:: 215-6675
Référence fabricant:: IKW75N65EH5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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20 - 48	5,40 €	10,80 €
50 - 98	5,025 €	10,05 €
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N° de stock RS:: 215-6675
Référence fabricant:: IKW75N65EH5XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation	395 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 90 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V
	Maximum Power Dissipation 395 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKW75N65EH5XKSA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with high speed H5 technology.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKW75N65EH5XKSA1 IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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