Infineon IKW75N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
215-6675
Référence fabricant:
IKW75N65EH5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

90A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

395W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.13 mm

Length

41.42mm

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with high speed H5 technology.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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