Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT Single Transistor IC, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
215-6611
Référence fabricant:
AIGW50N65F5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.66V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon three pin high speed fast insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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