Infineon IGB50N60TATMA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 90 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface
- N° de stock RS:
- 215-6630
- Référence fabricant:
- IGB50N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,58 €
(TVA exclue)
9,18 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 3 852 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,79 € | 7,58 € |
| 10 - 98 | 3,475 € | 6,95 € |
| 100 - 248 | 3,21 € | 6,42 € |
| 250 - 498 | 2,99 € | 5,98 € |
| 500 + | 2,89 € | 5,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6630
- Référence fabricant:
- IGB50N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 90A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC1 | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 90A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC1 | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
