Infineon AIKW20N60CTXKSA1 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 215-6613
- Référence fabricant:
- AIKW20N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,77 € | 11,54 € |
| 20 - 48 | 5,19 € | 10,38 € |
| 50 - 98 | 4,855 € | 9,71 € |
| 100 - 198 | 4,505 € | 9,01 € |
| 200 + | 4,15 € | 8,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6613
- Référence fabricant:
- AIKW20N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 166 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 40 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 166 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with fast recovery antiparallel emitter controlled diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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