Infineon AIKW20N60CTXKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 40 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6613
- Référence fabricant:
- AIKW20N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,77 € | 11,54 € |
| 20 - 48 | 5,19 € | 10,38 € |
| 50 - 98 | 4,855 € | 9,71 € |
| 100 - 198 | 4,505 € | 9,01 € |
| 200 + | 4,15 € | 8,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6613
- Référence fabricant:
- AIKW20N60CTXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 42mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | TrenchStop | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 42mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series TrenchStop | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with fast recovery antiparallel emitter controlled diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference