STMicroelectronics STGWA30IH65DF IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

20,04 €

(TVA exclue)

24,25 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 06 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 204,008 €20,04 €
25 - 453,898 €19,49 €
50 - 1203,796 €18,98 €
125 - 2453,70 €18,50 €
250 +3,604 €18,02 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
206-8630
Référence fabricant:
STGWA30IH65DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

108 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Pin Count

4

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Designed for soft commutation only
Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Low drop voltage freewheeling co-packaged diode
Positive VCE(sat) temperature coefficient

Liens connexes