STMicroelectronics STGWA20HP65FB2, N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247

Voir l’ensemble des IGBTs
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
204-3945
Référence fabricant:
STGWA20HP65FB2
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current (Ic)

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage (Vceo)

650 V

Pin Count

3

Package Type

TO-247

Maximum Gate Emitter Voltage (VGEO)

20 V

Number of Transistors

1

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.