STMicroelectronics STGWA40H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247

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N° de stock RS:
202-5517
Référence fabricant:
STGWA40H65DFB2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

TO-247

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Common Emitter

The STMicroelectronics high-speed HB2 series IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient

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