Références fabricant

STMicroelectronics STGW80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

N° de stock RS:: 792-5814
Référence fabricant:: STGW80H65DFB
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGW80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

5,44 €

(TVA exclue)

6,58 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 07 octobre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 - 4	5,44 €
5 - 9	5,15 €
10 - 24	4,64 €
25 - 49	4,37 €
50 +	4,32 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 792-5814
Référence fabricant:: STGW80H65DFB
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	469W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	H
	Standards/Approvals	Lead (Pb) Free package, ECOPACK
	Height	20.15mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 469W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series H
	Standards/Approvals Lead (Pb) Free package, ECOPACK
	Height 20.15mm
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.