STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
206-7210
Référence fabricant:
STGWA20H65DFB2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

147W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

Trench Gate Field Stop

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

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