STMicroelectronics STGWA50HP65FB2 IGBT, 86 A 650 V, 3-Pin TO-247

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

14,54 €

(TVA exclue)

17,595 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 580 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +2,908 €14,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
204-3944
Référence fabricant:
STGWA50HP65FB2
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

86 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

272 W

Package Type

TO-247

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C
Co-packaged protection diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive temperature coefficient

Liens connexes