Références fabricant

onsemi NXH25C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 25 A 650 V DIP26, Through Hole

N° de stock RS:: 202-5678
Référence fabricant:: NXH25C120L2C2SG
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH25C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 25 A 650 V DIP26, Through Hole

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N° de stock RS:: 202-5678
Référence fabricant:: NXH25C120L2C2SG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Maximum Continuous Collector Current	25 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20.0V
	Number of Transistors	6
	Package Type	DIP26
	Configuration	3 Phase
	Mounting Type	Through Hole
	Channel Type	N

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Maximum Continuous Collector Current 25 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20.0V
	Number of Transistors 6
	Package Type DIP26
	Configuration 3 Phase
	Mounting Type Through Hole
	Channel Type N

Datasheet - NXH25C120L2C2SG

The ON Semiconductor transfer molded power module containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 25 Ampere and 1600 Volts rectifiers, six 25 Ampere and 1200 Volts IGBTs with inverse diodes, one 25 Ampere and 1200 Volts brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.

Low thermal resistance
6mm clearance distance between pin to heatsink
Solderable pins
Thermistor
Pb free
Halogen free or BFR free
RoHS compliant

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