STMicroelectronics STGWA30HP65FB2 IGBT 650 V, 3-Pin TO-247 long leads

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201-4418
Référence fabricant:
STGWA30HP65FB2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Maximum Power Dissipation

167 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247 long leads

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Series

The STMicroelectronics trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package, has a positive VCE(sat) temperature coefficient.

Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance

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