STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG IGBT, 87 A 650 V, 3-Pin TO-247 long leads, Through Hole

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N° de stock RS:
330-470
Référence fabricant:
STGWA30M65DF2AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

87 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

441 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247 long leads

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.

Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Soft and very fast-recovery antiparallel diode

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