Références fabricant

STMicroelectronics STGD5H60DF, N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

N° de stock RS:: 165-8040
Référence fabricant:: STGD5H60DF
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGD5H60DF, N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 165-8040
Référence fabricant:: STGD5H60DF
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	10A
	Product Type	Trench Gate Field Stop IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	88W
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.95V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	H
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	6.6mm
	Height	2.4mm
	Width	6.2mm
	Automotive Standard	No
	Energy Rating	221mJ

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 10A
	Product Type Trench Gate Field Stop IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 88W
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.95V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series H
	Standards/Approvals RoHS
	Length 6.6mm
	Height 2.4mm
	Width 6.2mm
	Automotive Standard No
	Energy Rating 221mJ

Pays d'origine :: CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.