onsemi NGTB25N120FL3WG, N-Channel IGBT-Ultra Field Stop, 25 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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123-8830
Référence fabricant:
NGTB25N120FL3WG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

IGBT-Ultra Field Stop

Maximum Continuous Collector Current Ic

25A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

349W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Field Stop

Length

20.8mm

Width

16.25mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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