onsemi NGTB40N65FL2WG IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 145-3469
- Référence fabricant:
- NGTB40N65FL2WG
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 3,943 € | 118,29 € |
| 120 - 240 | 3,163 € | 94,89 € |
| 270 - 480 | 2,988 € | 89,64 € |
| 510 + | 2,804 € | 84,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 145-3469
- Référence fabricant:
- NGTB40N65FL2WG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 366 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 366 W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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