onsemi AFGHL40T65SPD IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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185-8671
Référence fabricant:
AFGHL40T65SPD
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

267 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Gate Capacitance

1518pF

Energy Rating

51mJ

Non conforme

Pays d'origine :
CN
Main upgrades comparing to FGH40T65SPD-F085, Lead length is increased to 20mm that is better for system assembly work. 3x rated current dynamic screening test is applied in Final Test so that 100% of parts have present immunity to latch-up during switching. Narrow Final Test DC spec to get a tighter distributed Vce_sat and Vf.

100% of the part are dynamically tested
Tight Parameter Distribution
Enhanced transient immunity
Better current sharing when used in parallel
Applications
Air Conditioner e-Compressor
On-board Charger
PTC Heater
Motor Driving
Other automotive power-train applications
End Products
EV
HEV/PHEV

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