Infineon Broadband RF Bipolar Transistor, 55 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- N° de stock RS:
- 216-8355
- Référence fabricant:
- BFP843H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 216-8355
- Référence fabricant:
- BFP843H6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Broadband RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 55mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Series | BFP843 | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Broadband RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 55mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Series BFP843 | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BFP series is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolar transistor. It is suitable for low voltage applications like wireless communications, satellite communication systems and navigation systems.
High transition frequency enables best in class noise performance at high frequencies
Unique combination of high end RF performance and robustness
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