Références fabricant

Infineon BFP520FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343

N° de stock RS:: 259-1427
Référence fabricant:: BFP520FH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon BFP520FH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 10 V, 4-Pin SOT-343

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N° de stock RS:: 259-1427
Référence fabricant:: BFP520FH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	50mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	10V
	Package Type	SOT-343
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Common Emitter
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	10V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	1V
	Minimum DC Current Gain hFE	70
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Power Dissipation Pd	125mW
	Maximum Transition Frequency ft	45GHz
	Pin Count	4
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	BFP520
	Length	1.4mm
	Height	0.55mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 50mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 10V
	Package Type SOT-343
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Common Emitter
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 10V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1V
	Minimum DC Current Gain hFE 70
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Power Dissipation Pd 125mW
	Maximum Transition Frequency ft 45GHz
	Pin Count 4
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series BFP520
	Length 1.4mm
	Height 0.55mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - BFP520H6327XTSA1

The Infineon NPN silicon RF transistor. It is various applications like cellular and Cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.

For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz

For linear broadband amplifiers

fT 8 GHz, NFmin 1 dB at 900 MHz

Pb-free (RoHS compliant) package

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