Infineon NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4 V, 4-Pin TSLP
- N° de stock RS:
- 219-5958
- Référence fabricant:
- BFR740L3RHE6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 15000 + | 0,252 € | 3 780,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 219-5958
- Référence fabricant:
- BFR740L3RHE6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | NPN RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 40mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4V | |
| Package Type | TSLP | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 42GHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 160 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160mW | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BFR740L3RH | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type NPN RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 40mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4V | ||
Package Type TSLP | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 42GHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 160 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160mW | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BFR740L3RH | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BFP740L3RH is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT).
Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz, 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
Low profile and small form factor leadless package
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