Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- N° de stock RS:
- 258-0650
- Référence fabricant:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
3,28 €
(TVA exclue)
3,97 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 12 890 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 juin 2026
- Plus 15 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,328 € | 3,28 € |
| 100 - 240 | 0,31 € | 3,10 € |
| 250 - 490 | 0,298 € | 2,98 € |
| 500 - 990 | 0,285 € | 2,85 € |
| 1000 + | 0,266 € | 2,66 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-0650
- Référence fabricant:
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 35mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 2.25V | |
| Package Type | TSLP-3-9 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 2.9V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 150 | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 75GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Length | 1mm | |
| Height | 0.31mm | |
| Series | BFR840L3RHESD | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 35mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 2.25V | ||
Package Type TSLP-3-9 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 2.9V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 150 | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 75GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 3 | ||
Length 1mm | ||
Height 0.31mm | ||
Series BFR840L3RHESD | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon SiGe C NPN RF bipolar transistor is a discrete RF heterojunction bipolar transistor with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.
Ideal for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V
Low profile and small form factor leadless package
Liens connexes
- Infineon RF Bipolar Transistor 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- Infineon RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSLP
- Infineon BFR460L3E6327XTMA1 RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSLP
- Infineon RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 2.25 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSLP-3-1