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Alliance Memory AS4C32M16SB-7TIN, SDRAM 512Mbit Surface Mount, 200MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin TSOP

N° de stock RS:: 230-8427
Référence fabricant:: AS4C32M16SB-7TIN
Fabricant:: Alliance Memory

Alliance Memory AS4C32M16SB-7TIN, SDRAM 512Mbit Surface Mount, 200MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin TSOP

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Unité	Prix par unité	le plateau*
108 - 216	11,556 €	1 248,05 €
324 - 432	11,048 €	1 193,18 €
540 - 972	10,678 €	1 153,22 €
1080 +	10,40 €	1 123,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 230-8427
Référence fabricant:: AS4C32M16SB-7TIN
Fabricant:: Alliance Memory

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Alliance Memory
	Memory Size	512Mbit
	SDRAM Class	DDR
	Organisation	32M x 16
	Data Rate	200MHz
	Data Bus Width	16bit
	Address Bus Width	13bit
	Number of Bits per Word	16bit
	Maximum Random Access Time	5.4ns
	Number of Words	32 M
	Mounting Type	Surface Mount
	Package Type	TSOP
	Pin Count	54
	Dimensions	22.35 x 10.29 x 1.2mm
	Height	1.2mm
	Length	22.35mm
	Maximum Operating Supply Voltage	3.6 V
	Maximum Operating Temperature	+85 °C
	Minimum Operating Temperature	-40 °C
	Minimum Operating Supply Voltage	3 V
	Width	10.29mm

	Sélectionner tout
	Marque Alliance Memory
	Memory Size 512Mbit
	SDRAM Class DDR
	Organisation 32M x 16
	Data Rate 200MHz
	Data Bus Width 16bit
	Address Bus Width 13bit
	Number of Bits per Word 16bit
	Maximum Random Access Time 5.4ns
	Number of Words 32 M
	Mounting Type Surface Mount
	Package Type TSOP
	Pin Count 54
	Dimensions 22.35 x 10.29 x 1.2mm
	Height 1.2mm
	Length 22.35mm
	Maximum Operating Supply Voltage 3.6 V
	Maximum Operating Temperature +85 °C
	Minimum Operating Temperature -40 °C
	Minimum Operating Supply Voltage 3 V
	Width 10.29mm

Datasheet - AS4C32M16SB-7TIN

The Alliance Memory 512Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 512 Mbits. It is internally configured as 4 Banks of 8M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented

accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a Bank Activate command which is then followed by a Read or Write command.

Auto Refresh and Self Refresh
8192 refresh cycles/64ms
CKE power down mode
Single +3.3V ±0.3V power supply

Alliance Memory AS4C32M16SB-7TIN, SDRAM 512Mbit Surface Mount, 200MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin TSOP

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