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Alliance Memory AS4C8M16SA-7TCN, SDRAM 128Mbit Surface Mount, 166MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin TSOP

N° de stock RS:: 230-8440
Référence fabricant:: AS4C8M16SA-7TCN
Fabricant:: Alliance Memory

Alliance Memory AS4C8M16SA-7TCN, SDRAM 128Mbit Surface Mount, 166MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin TSOP

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Unité	Prix par unité	le plateau*
108 - 216	2,40 €	259,20 €
324 - 432	2,306 €	249,05 €
540 - 972	2,294 €	247,75 €
1080 - 1944	2,141 €	231,23 €
2052 +	2,038 €	220,10 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 230-8440
Référence fabricant:: AS4C8M16SA-7TCN
Fabricant:: Alliance Memory

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Alliance Memory
	Memory Size	128Mbit
	SDRAM Class	DDR
	Organisation	8M x 16
	Data Rate	166MHz
	Data Bus Width	16bit
	Address Bus Width	12bit
	Number of Bits per Word	16bit
	Maximum Random Access Time	5.4ns
	Number of Words	8 M
	Mounting Type	Surface Mount
	Package Type	TSOP
	Pin Count	54
	Dimensions	22.35 x 10.29 x 1.2mm
	Height	1.2mm
	Length	22.35mm
	Maximum Operating Supply Voltage	3.6 V
	Minimum Operating Temperature	0 °C
	Width	10.29mm
	Minimum Operating Supply Voltage	3 V
	Maximum Operating Temperature	+70 °C

	Sélectionner tout
	Marque Alliance Memory
	Memory Size 128Mbit
	SDRAM Class DDR
	Organisation 8M x 16
	Data Rate 166MHz
	Data Bus Width 16bit
	Address Bus Width 12bit
	Number of Bits per Word 16bit
	Maximum Random Access Time 5.4ns
	Number of Words 8 M
	Mounting Type Surface Mount
	Package Type TSOP
	Pin Count 54
	Dimensions 22.35 x 10.29 x 1.2mm
	Height 1.2mm
	Length 22.35mm
	Maximum Operating Supply Voltage 3.6 V
	Minimum Operating Temperature 0 °C
	Width 10.29mm
	Minimum Operating Supply Voltage 3 V
	Maximum Operating Temperature +70 °C

Datasheet - AS4C8M16SA-7TCN

The Alliance Memory 128Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 128 Mbits. It is internally configured as 4 Banks of 2M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented

accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.

Auto Refresh and Self Refresh
4096 refresh cycles/64ms
CKE power down mode
Single +3.3V  0.3V power supply
Interface: LVTTL

Alliance Memory AS4C8M16SA-7TCN, SDRAM 128Mbit Surface Mount, 166MHz, 3 V to 3.6 V, 54-Pin TSOP

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