onsemi 1200 V 40 A Rectifier & Schottky Diode Schottky 3-Pin TO-247-3LD
- N° de stock RS:
- 261-9556
- Référence fabricant:
- NDSH40120CDN
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | 9,023 € | 4 060,35 € |
| 900 - 900 | 8,842 € | 3 978,90 € |
| 1350 + | 8,662 € | 3 897,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 261-9556
- Référence fabricant:
- NDSH40120CDN
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Rectifier & Schottky Diode | |
| Package Type | TO-247-3LD | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 40A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1200V | |
| Series | NDSH40120CDN | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.75V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 123A | |
| Peak Reverse Current Ir | 200μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 41.07mm | |
| Height | 4.82mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Rectifier & Schottky Diode | ||
Package Type TO-247-3LD | ||
Maximum Continuous Forward Current If 40A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1200V | ||
Series NDSH40120CDN | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.75V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 123A | ||
Peak Reverse Current Ir 200μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 41.07mm | ||
Height 4.82mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L
The ON Semiconductor schottky diodes & rectifiers silicon carbide schottky diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. It consist of no reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets silicon carbide as the next generation of power semiconductor.
High surge current capacity
Positive temperature coefficient
Ease of paralleling
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