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Infineon 4 V 110 mA Diode 1-Pin TSSLP BAT2402LSE6327XTSA1

N° de stock RS:: 258-0641
Référence fabricant:: BAT2402LSE6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon 4 V 110 mA Diode 1-Pin TSSLP BAT2402LSE6327XTSA1

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 258-0641
Référence fabricant:: BAT2402LSE6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	Diode
	Mount Type	Surface
	Package Type	TSSLP
	Maximum Continuous Forward Current If	110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	4V
	Series	BAT24-02LS
	Diode Configuration	Single
	Pin Count	1
	Peak Reverse Current Ir	5μA
	Maximum Forward Voltage Vf	0.41V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.31mm
	Length	0.62mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type Diode
	Mount Type Surface
	Package Type TSSLP
	Maximum Continuous Forward Current If 110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 4V
	Series BAT24-02LS
	Diode Configuration Single
	Pin Count 1
	Peak Reverse Current Ir 5μA
	Maximum Forward Voltage Vf 0.41V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.31mm
	Length 0.62mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Automotive Standard No

Datasheet - BAT2402LSE6327XTSA1

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type of device with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Its low barrier height, small forward voltage diode and low junction capacitance, make BAT24 - 02LS a suitable choice for mixer and detector functions in applications whose frequencies are as high as 24 GHz.

Low inductance LS of 0.2 nH

Low capacitance C of 0.2 pF at 1 MHz

TSSLP-2-1 package with a 0201 footprint

Pb-free (RoHS compliant) and halogen free

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