Références fabricant

Infineon 4 V 110 mA Diode 1-Pin TSSLP

N° de stock RS:: 258-0640
Référence fabricant:: BAT2402LSE6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 bobine de 15000 unités)*

6 540,00 €

(TVA exclue)

7 920,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
15000 +	0,436 €	6 540,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 258-0640
Référence fabricant:: BAT2402LSE6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Mount Type	Surface
	Product Type	Diode
	Package Type	TSSLP
	Maximum Continuous Forward Current If	110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	4V
	Diode Configuration	Single
	Series	BAT24-02LS
	Pin Count	1
	Peak Reverse Current Ir	5μA
	Maximum Forward Voltage Vf	0.41V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.31mm
	Length	0.62mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Mount Type Surface
	Product Type Diode
	Package Type TSSLP
	Maximum Continuous Forward Current If 110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 4V
	Diode Configuration Single
	Series BAT24-02LS
	Pin Count 1
	Peak Reverse Current Ir 5μA
	Maximum Forward Voltage Vf 0.41V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.31mm
	Length 0.62mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Automotive Standard No

Datasheet - BAT2402LSE6327XTSA1

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type of device with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Its low barrier height, small forward voltage diode and low junction capacitance, make BAT24 - 02LS a suitable choice for mixer and detector functions in applications whose frequencies are as high as 24 GHz.

Low inductance LS of 0.2 nH

Low capacitance C of 0.2 pF at 1 MHz

TSSLP-2-1 package with a 0201 footprint

Pb-free (RoHS compliant) and halogen free

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