Infineon 4 V 110 mA Diode TSLP BAT1502ELE6327XTMA1

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N° de stock RS:
258-0637
Numéro d'article Distrelec:
304-40-474
Référence fabricant:
BAT1502ELE6327XTMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TSLP

Maximum Continuous Forward Current If

110mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Single

Series

BAT15-02EL

Peak Reverse Current Ir

5μA

Maximum Forward Voltage Vf

0.41V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-02EL a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

TSLP-2-19 package with a 0402 foot print

Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

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