Références fabricant

Infineon 4 V 110 mA Diode TSLP

N° de stock RS:: 258-0636
Référence fabricant:: BAT1502ELE6327XTMA1
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 bobine de 15000 unités)*

2 760,00 €

(TVA exclue)

3 345,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
15000 +	0,184 €	2 760,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 258-0636
Référence fabricant:: BAT1502ELE6327XTMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	Diode
	Mount Type	Surface
	Package Type	TSLP
	Maximum Continuous Forward Current If	110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	4V
	Diode Configuration	Single
	Series	BAT15-02EL
	Peak Reverse Current Ir	5μA
	Maximum Forward Voltage Vf	0.41V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type Diode
	Mount Type Surface
	Package Type TSLP
	Maximum Continuous Forward Current If 110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 4V
	Diode Configuration Single
	Series BAT15-02EL
	Peak Reverse Current Ir 5μA
	Maximum Forward Voltage Vf 0.41V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Automotive Standard No

Datasheet - BAT1502ELE6327XTMA1

The Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-02EL a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

TSLP-2-19 package with a 0402 foot print

Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

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