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Infineon 1200 V 10 A Diode SiC Schottky 3-Pin TO-247 IDW10G120C5BFKSA1

N° de stock RS:: 222-4834
Référence fabricant:: IDW10G120C5BFKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon 1200 V 10 A Diode SiC Schottky 3-Pin TO-247 IDW10G120C5BFKSA1

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

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N° de stock RS:: 222-4834
Référence fabricant:: IDW10G120C5BFKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	Diode
	Mount Type	Surface
	Package Type	TO-247
	Maximum Continuous Forward Current If	10A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	1200V
	Diode Configuration	Single
	Series	5th Generation CoolSiCTM
	Rectifier Type	SiC Schottky
	Pin Count	3
	Maximum Forward Voltage Vf	2.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	140A
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	16.13mm
	Height	21.1mm
	Standards/Approvals	J-STD20 and JESD22
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type Diode
	Mount Type Surface
	Package Type TO-247
	Maximum Continuous Forward Current If 10A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1200V
	Diode Configuration Single
	Series 5th Generation CoolSiCTM
	Rectifier Type SiC Schottky
	Pin Count 3
	Maximum Forward Voltage Vf 2.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 140A
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 16.13mm
	Height 21.1mm
	Standards/Approvals J-STD20 and JESD22
	Automotive Standard No

Datasheet - IDW10G120C5BFKSA1

The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

Best-in-class forward voltage (VF)

No reverse recovery charge

Mild positive temperature dependency of VF

Best-in-class surge current capability

Excellent thermal performance

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