Infineon 1.2 kV 40 A Diode SiC Schottky 2-Pin TO-247 IDW40G120C5BFKSA1
- N° de stock RS:
- 216-8395
- Référence fabricant:
- IDW40G120C5BFKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 216-8395
- Référence fabricant:
- IDW40G120C5BFKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Diode | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-247 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 40A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 1.2kV | |
| Series | 5th Generation CoolSiCTM | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | SiC Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 290A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 2.3V | |
| Peak Reverse Current Ir | 1.7mA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 5.21mm | |
| Height | 41.42mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC1) | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Diode | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type TO-247 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 40A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1.2kV | ||
Series 5th Generation CoolSiCTM | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type SiC Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 290A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 2.3V | ||
Peak Reverse Current Ir 1.7mA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 16.13mm | ||
Width 5.21mm | ||
Height 41.42mm | ||
Standards/Approvals JEDEC1) | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC generation 5 offers a new leading edge technology for the schottky barrier diode with current rating of 40 A. This latest generation is suitable for use in motor control and drives, solar system and UPS system.
Highest system efficiency
Improved system efficiency at low switching frequencies
Increased power density at high switching frequencies
Higher system reliability
Reduced EMI
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