Infineon 650 V 6 A SiC Silicon Carbide Diode Schottky 2-Pin TO-220 IDH06G65C5XKSA2
- N° de stock RS:
- 218-6300
- Référence fabricant:
- IDH06G65C5XKSA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
12,42 €
(TVA exclue)
15,03 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 265 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,484 € | 12,42 € |
| 25 - 45 | 2,038 € | 10,19 € |
| 50 - 120 | 1,886 € | 9,43 € |
| 125 - 245 | 1,764 € | 8,82 € |
| 250 + | 1,636 € | 8,18 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-6300
- Référence fabricant:
- IDH06G65C5XKSA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | SiC Silicon Carbide Diode | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Package Type | TO-220 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 6A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Series | 5th Generation thinQ!TM | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 54A | |
| Peak Reverse Current Ir | 750μA | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 29.95mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Width | 4.5 mm | |
| Standards/Approvals | J-STD20 and JESD22 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type SiC Silicon Carbide Diode | ||
Mount Type Through Hole | ||
Package Type TO-220 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 6A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Series 5th Generation thinQ!TM | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 54A | ||
Peak Reverse Current Ir 750μA | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 29.95mm | ||
Length 10.2mm | ||
Width 4.5 mm | ||
Standards/Approvals J-STD20 and JESD22 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon SiC Schottky diode made up of revolutionary semiconductor material. It is mainly used in switch mode power supply, power factor correction and solar inverter.
High surge current capability
Pb free
RoHS compliant
Liens connexes
- Infineon 650 V 6 A SiC Silicon Carbide Diode Schottky 2-Pin TO-220
- Infineon 650 V 12 A SiC Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-220
- Infineon 650 V 12 A SiC Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-220 IDH12G65C5XKSA2
- STMicroelectronics 650 V 20 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC20G065DY
- STMicroelectronics 650 V 10 A Schottky Diode SiC Schottky 2-Pin TO-220 STPSC10G065DY
- Infineon 1200 V 16 A Industrial Power Control Diode Silicon Carbide Schottky Diode Silicon Carbide Schottky Diode 2-Pin
- Infineon 650 V 10 A SiC Schottky Diode Schottky 10-Pin HDSOP
- Infineon 650 V 12 A SiC Schottky Diode Schottky 10-Pin HDSOP
