Références fabricant

OSI Optoelectronics Ultraviolet Photodiode, 65 °, Through Hole TO-8

N° de stock RS:: 848-6281
Référence fabricant:: UV-035EQ
Fabricant:: OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics Ultraviolet Photodiode, 65 °, Through Hole TO-8

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N° de stock RS:: 848-6281
Référence fabricant:: UV-035EQ
Fabricant:: OSI Optoelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	OSI Optoelectronics
	Product Type	Photodiode
	Spectrums Detected	Ultraviolet
	Wavelength of Peak Sensitivity	720nm
	Package Type	TO-8
	Mount Type	Through Hole
	Packaging	Tape & Reel
	Number of Pins	2
	Minimum Wavelength Detected	320nm
	Maximum Wavelength Detected	1100nm
	Typical Fall Time	0.6ns
	Amplified	No
	Minimum Operating Temperature	-25°C
	Maximum Operating Temperature	85°C
	Width	5mm
	Length	8mm
	Height	5.21mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Angle of Half Sensitivity	65 °
	Diameter	13.97mm
	Dark Current	0.2nA
	Polarity	Reverse
	Typical Rise Time	0.6ns
	Automotive Standard	No
	Breakdown Voltage	30V

	Sélectionner tout
	Marque OSI Optoelectronics
	Product Type Photodiode
	Spectrums Detected Ultraviolet
	Wavelength of Peak Sensitivity 720nm
	Package Type TO-8
	Mount Type Through Hole
	Packaging Tape & Reel
	Number of Pins 2
	Minimum Wavelength Detected 320nm
	Maximum Wavelength Detected 1100nm
	Typical Fall Time 0.6ns
	Amplified No
	Minimum Operating Temperature -25°C
	Maximum Operating Temperature 85°C
	Width 5mm
	Length 8mm
	Height 5.21mm
	Standards/Approvals RoHS
	Angle of Half Sensitivity 65 °
	Diameter 13.97mm
	Dark Current 0.2nA
	Polarity Reverse
	Typical Rise Time 0.6ns
	Automotive Standard No
	Breakdown Voltage 30V

UV Enhanced Series Data Sheet

OSI UV Enhanced Series Photodiodes

The UV Enhanced series, from OSI Optoelectronics, are a range of UV enhanced silicon photodiodes. This series includes two seperate families of photodiodes, inversion channel and planar diffused. Both of these families are designed for low noise detection in the UV region of the electromagnetic spectrum.

The inversion layer structure family exhibit 100% internal quantum efficiency. Offering high shunt resistance, low noise and high breakdown voltages, this family of photodiodes are idea for low intensity light measurements.

Photodiodes with the planar diffused structure offer a lower capacitance and higher response time compared to the inversion later family. They also show linearity of photocurrent up to higher light input power compared to the inversion layer photodiodes.

Suitable applications for the UV Enhanced series includes; pollution monitoring, medical instrumentation, UV exposure meters, spectroscopy, water purification and fluorescence.

Features of the UV Enhanced series:

Inversion layers or planar diffused silicon photodiodes

Excellent UV response

Photodiodes, OSI Optoelectronics

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