IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 36 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 920-0782
- Référence fabricant:
- IXFH36N50P
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 30 unités)*
222,72 €
(TVA exclue)
269,49 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 7,424 € | 222,72 € |
| 60 - 120 | 7,127 € | 213,81 € |
| 150 + | 6,904 € | 207,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 920-0782
- Référence fabricant:
- IXFH36N50P
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | HiperFET, Polar | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 170mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 93nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 540W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.26mm | |
| Width | 5.3mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series HiperFET, Polar | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 170mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 93nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 540W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.26mm | ||
Width 5.3mm | ||
Height 21.46mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS