IXYS Type N-Channel MOSFET, 26 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH26N50P
- N° de stock RS:
- 194-530
- Numéro d'article Distrelec:
- 171-31-366
- Référence fabricant:
- IXFH26N50P
- Fabricant:
- IXYS
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- Numéro d'article Distrelec:
- 171-31-366
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- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 230mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.46mm | |
| Width | 5.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.26mm | |
| Distrelec Product Id | 17131366 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 230mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.46mm | ||
Width 5.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.26mm | ||
Distrelec Product Id 17131366 | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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