IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 26 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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N° de stock RS:
920-0760
Référence fabricant:
IXFH26N60P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

26A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

270mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72nC

Maximum Power Dissipation Pd

460W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.3 mm

Length

16.26mm

Height

21.46mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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