IXYS Type N-Channel MOSFET, 24 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 920-0754
- Référence fabricant:
- IXFH24N80P
- Fabricant:
- IXYS
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
233,94 €
(TVA exclue)
283,08 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 30 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 avril 2026
- Plus 30 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 août 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 7,798 € | 233,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 920-0754
- Référence fabricant:
- IXFH24N80P
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 400mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 650W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 105nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.46mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 650W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.46mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Length 16.26mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS HiperFET 24 A 3-Pin TO-247AD IXFH24N80P
- IXYS HiperFET 44 A 3-Pin TO-247AD IXFH44N50P
- IXYS HiperFET 36 A 3-Pin TO-247AD IXFH36N50P
- IXYS HiperFET 120 A 3-Pin TO-247AD IXFH120N15P
- IXYS HiperFET 25 A 3-Pin ISOPLUS247 IXFR44N80P
- IXYS HiperFET 53 A 4-Pin SOT-227 IXFN60N80P
- IXYS HiperFET 7 A 3-Pin TO-220 IXFP7N80P
- IXYS HiperFET 10 A 3-Pin TO-220 IXFP10N80P
