Références fabricant

Wolfspeed N-Channel MOSFET, 31 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 919-9749
Référence fabricant:: C2M0080120D
Fabricant:: Wolfspeed

Wolfspeed N-Channel MOSFET, 31 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

1 277,58 €

(TVA exclue)

1 545,87 €

(TVA incluse)

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En voie de retrait du marché

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Unité	Prix par unité	le tube*
30 +	42,586 €	1 277,58 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 919-9749
Référence fabricant:: C2M0080120D
Fabricant:: Wolfspeed

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Wolfspeed
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	208mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	49.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	208W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	4.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-10V, +25V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.21mm
	Height	21.1mm
	Length	16.13mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Wolfspeed
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 208mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 208W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 4.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -10V, +25V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.21mm
	Height 21.1mm
	Length 16.13mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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