Références fabricant

Wolfspeed N-Channel MOSFET, 19 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 162-9709
Référence fabricant:: C2M0160120D
Fabricant:: Wolfspeed

Wolfspeed N-Channel MOSFET, 19 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 162-9709
Référence fabricant:: C2M0160120D
Fabricant:: Wolfspeed

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Wolfspeed
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	196mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-5V, +20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	3.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	16.13mm
	Width	5.21mm
	Standards/Approvals	No
	Height	21.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Wolfspeed
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 196mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -5V, +20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 3.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 16.13mm
	Width 5.21mm
	Standards/Approvals No
	Height 21.1mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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