Vishay IRFD Type N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF

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N° de stock RS:
541-1039
Référence fabricant:
IRFD110PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HVMDIP

Series

IRFD

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

540mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.3W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5mm

Height

3.37mm

Width

6.29 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

FEATURES

• TrenchFET® power MOSFET

• Package with low thermal resistance

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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