Vishay IRFP250 Type N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 919-0032
- Référence fabricant:
- IRFP250PBF
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 25 unités)*
60,65 €
(TVA exclue)
73,375 €
(TVA incluse)
Ajouter 50 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- Plus 975 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,426 € | 60,65 € |
| 50 - 100 | 2,377 € | 59,43 € |
| 125 + | 2,256 € | 56,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 919-0032
- Référence fabricant:
- IRFP250PBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | IRFP250 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 85mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.31 mm | |
| Length | 15.87mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series IRFP250 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 85mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.31 mm | ||
Length 15.87mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay IRFP250 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP250PBF
- Vishay IRFP260 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP260PBF
- Vishay IRFP Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP9240PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP250NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP250MPBF
- IXYS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247