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Infineon Single HEXFET 1 Type P-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7406TRPBF

N° de stock RS:: 915-4951
Référence fabricant:: IRF7406TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon Single HEXFET 1 Type P-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7406TRPBF

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N° de stock RS:: 915-4951
Référence fabricant:: IRF7406TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Transistor Configuration	Single
	Series	HEXFET
	Number of Elements per Chip	1
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	5.8 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	30 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	SOIC
	Forward Voltage (Vf)	1 V
	Height	1.5 mm
	Length	5 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	70 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V, -20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	2.5 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Width	4 mm

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	Marque Infineon
	Transistor Configuration Single
	Series HEXFET
	Number of Elements per Chip 1
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 5.8 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 30 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type SOIC
	Forward Voltage (Vf) 1 V
	Height 1.5 mm
	Length 5 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 70 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V, -20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 2.5 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Width 4 mm

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