N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC070N10NS3GATMA1

N° de stock RS:: 906-4359
Référence fabricant:: BSC070N10NS3GATMA1
Fabricant:: Infineon

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC070N10NS3GATMA1

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N° de stock RS:: 906-4359
Référence fabricant:: BSC070N10NS3GATMA1
Fabricant:: Infineon

BSC070N10NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	TDSON
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	8.6 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Power Dissipation	156 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Length	6.1mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Width	5.35mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.1mm
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC070N10NS3GATMA1

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Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over