Références fabricant

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN TK12J60W,S1VQ(O

N° de stock RS:: 891-2881
Référence fabricant:: TK12J60W,S1VQ(O
Fabricant:: Toshiba

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN TK12J60W,S1VQ(O

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 891-2881
Référence fabricant:: TK12J60W,S1VQ(O
Fabricant:: Toshiba

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-3PN
	Series	TK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Forward Voltage Vf	1.7V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.5mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	20mm
	Length	15.5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-3PN
	Series TK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Forward Voltage Vf 1.7V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.5mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 20mm
	Length 15.5mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: JP

MOSFET Transistors, Toshiba

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