Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 39 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN TK39J60W5,S1VQ(O
- N° de stock RS:
- 896-2363
- Référence fabricant:
- TK39J60W5,S1VQ(O
- Fabricant:
- Toshiba
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| 1 - 9 | 3,84 € |
| 10 - 19 | 2,50 € |
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| 40 - 79 | 2,38 € |
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- N° de stock RS:
- 896-2363
- Référence fabricant:
- TK39J60W5,S1VQ(O
- Fabricant:
- Toshiba
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 39A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-3PN | |
| Series | DTMOSIV | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 74mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 270W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.5mm | |
| Width | 4.5 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 39A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-3PN | ||
Series DTMOSIV | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 74mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 270W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.5mm | ||
Width 4.5 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- JP
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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