Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S

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827-6113
Référence fabricant:
TK12E60W,S1VX(S
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

TK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

300mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.45 mm

Length

10.16mm

Height

15.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

MOSFET Transistors, Toshiba


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